(Top Anti Reflective Coating)반도체 소자의 패턴 크기가 감소함에 따라 노광 공정이 진행되는 동안 반사율이 최소 1% 미만으로 유지되어야 균일한 패턴을 형성할 수 있으며, lithography를 이용한 패턴 형성 중 노광 시 막 상부층에 반사 방지막 처리를 하여, Photoresist 막 내에서 반사광 및 난반사 발생 현상을 개선하기 위해 사용합니다.