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와이씨켐

Total 101

Equipment

-Hybrid Spin & Wet Station for Wafer Cleaning
-Monitoring System of H3PO4 concentration
Thinner

점도를 조절하거나 잔여물을 제거하기 위해 사용하는 용제입니다.
EUV Photoresist

당사는 13.5nm 파장에 대해 필름 두께 10nm에서 100nm까지 다양한 공정 적용이 가능한 EUV Photoresist 제품을 제조합니다.EUV Photoresist 제품군에서는 Positive Type과 Negative Type을 모두 제공하며, High Sensitivity 및 Low LER(Line Edge Roughness) 최적화 솔루션을 보유하고 있습니다.프로젝트 개발을 위한 EUV Photoresist Solution을 찾고 계신다면, 당사에 문의해 주시면 제품에 대한 보다 구체적인 데이터를 제공해 드리겠습니다.
ArF Photoresist

당사는 193nm 파장에 대해 필름 두께 0.2µm에서 6.0µm까지 다양한 공정 적용이 가능한 ArF Photoresist 제품을 제조합니다.ArF Photoresist 제품군에서는 Positive Type과 Negative Type을 모두 제공하며, Dry 및 Immersion 공정에 적합한 솔루션을 보유하고 있습니다.프로젝트 개발을 위한 ArF Photoresist Solution을 찾고 계신다면, 당사에 문의해 주시면 제품에 대한 보다 구체적인 데이터를 제공해 드리겠습니다.
Stripper

Etch 공정 후 존재하는 불순물들을 제거하기 위하여 활용하는 물질입니다.
UV Imprint Resin

(Nanoimprint Lithography) 고분자 나노 구조의 high-throughput 패턴화를 위한 정밀한 lithography 기술을 제공합니다.
Transparent Photoresist

유기 절연체의 경우 누설전류가 낮고, 이력특성이 적으며, 가교를 통하여 패터닝이 가능하고, 유기 용제에 안정성을 부여할 수 있습니다. 또한, 무기 계면 층의 경우 센서로 사용되는 유기물 절연막을 센싱 환경으로부터 보호하며, 유기물 반도체와의 접합특성을 향상 시키는 재료입니다.
Wafering

Wafering은 실리콘 결정이 웨이퍼로 만들어지는 과정이며 이 공정은 일반적으로 동일한 결정에서 여러 웨이퍼를 동시에 절단하는 multi-wire saw에 의해 수행된다. 최종적으로 이 웨이퍼는 원하는 정도의 평탄도 및 두께로 연마됩니다.
Spin On Carbon Hardmask

반도체 소자의 패턴 크기가 감소함에 따라 70nm 이하의 패턴을 구현하면서 기존의 Photoresist를 이용하여 두께를 감소시킬 경우, Etch 공정에서 Photoresist가 붕괴할 가능성이 존재합니다.
이를 개선하기 위하여 SOC polymer를 활용하며, SOC polymer 층 위에 Photoresist를 사용하여 Etch 공정 시 요구하는 깊이 만큼 패턴을 새기더라도 Photoresist가 붕괴하지 않도록 지지체로 활용 가능합니다.
Rinsing Solution

Photo 공정 시 활용되는 물질로써, Developer 공정 후 D.I. water를 활용한 세척 시 발생 되는 패턴의 손상을 방지하기 위해 사용하는 물질입니다.
CMP

CMP(Chemical Mechanical Planarization or Polishing)는 wafer를 poly-urethane으로 제조된 polishing pad에 밀착시킨 상태에서 수백 nm 크기의 연마분이 함유된 slurry를 polishing pad 표면에 분산시켜 박막의 화학적 반응을 유도합니다. 그리고 wafer를 지지하는 polishing carrier와 polishing pad가 부착된 polishing platen을 고속 회전시켜 개질된 박막 표면을 기계적으로 제거함으로써 소자 배선으로 인한 절연막의 단차를 평탄화하거나, 소자 배선을 분리하는 반도체 전 공정에서 사용됩니다.
Promoter

산화를 가속화하기 위하여 활용하는 물질입니다.
Etchant

화학적 반응을 활용하여 인쇄회로 기판에 존재하는 불필요한 금속을 제거하기 위해 사용하는 물질입니다.
Developer

Photo 공정의 마지막 단계인 현상 공정에서 활용되는 물질로써, 노광된 영역과 노광되지 않은 영역을 선택적으로 제거하여 회로에 패턴을 형성하는 공정시 사용하는 물질입니다.
TARC

(Top Anti Reflective Coating)반도체 소자의 패턴 크기가 감소함에 따라 노광 공정이 진행되는 동안 반사율이 최소 1% 미만으로 유지되어야 균일한 패턴을 형성할 수 있으며, lithography를 이용한 패턴 형성 중 노광 시 막 상부층에 반사 방지막 처리를 하여, Photoresist 막 내에서 반사광 및 난반사 발생 현상을 개선하기 위해 사용합니다.
BARC

Bottom Anti Refective Coating)반도체 소자의 패턴 크기가 감소함에 따라 노광 공정이 진행되는 동안 반사율이 최소 1% 미만으로 유지되어야 균일한 패턴을 형성할 수 있으며, lithography를 이용한 패턴 형성 중 노광 시 막 하부층에 의한 빛 반사 방지 및 정제파 제거 용도의 흡광제와 이를 포함하는 유기 반사 방지막입니다.
TSV Thick Photoresist

최신 기술을 포함한 다양한 Packaging Processes를 위한 Photoresist를 개발하고 상용화했습니다. Packaging Processes용 Photoresist는 Wafer Level RDL, TSV를 포함한 광범위한 생산 기술에 사용할 수 있습니다.
KrF Photoresist

당사는 248nm 파장에 대해 필름 두께가 0.30um에서 12.0um인 공정적용을 위한 KrF Photoresist 제품을 제조합니다. KrF Photoresist 제품군에서 Positive와 Negative type Photoresist를 모두 제조합니다.프로젝트 개발을 위한 KrF Photoresist Solution 을 찾고 있는 경우 당사에 문의하면 제품에 대한 보다 구체적인 데이터를 제공하겠습니다.
Bump Photoresist

최근의 발전된 Wafer Level의 패키징, MEMS 및 3D Photolithography 등의 응용 제품의 좁은 피치와 다양한 Topography를 충족하도록 설계된 positive 및 negative Photoresist를 제공하고 있습니다. 구리, 순수 주석 및 니켈을 포함한 다양한 금속의 도금 화학 물질과 호환됩니다.
I-Line Photoresist

당사는 365nm 파장에 대해 필름 두께가 0.1um에서 6.0um인 공정적용을 위한 i-Line Photoresist 제품을 제조합니다. i-Line Photoresist 제품군에서 positive 및 negative type Photoresist를 모두 제조합니다.
프로젝트 개발을 위한 i-Line Photoresist Solution 을 찾고 있는 경우 당사에 문의하면 제품에 대한 보다 구체적인 데이터를 제공하겠습니다.

본사, 1공장, 2공장, 3공장

경상북도 성주군 선남면 유서리길 174-12 T. +82-54-930-2500 F. +82-54-931-8521

제2연구소(시흥)

경기도 시흥시 은계남길 50, 5층 T. +82-31-702-3941

4공장, 성주일반산업단지

경상북도 성주군 성주읍 성주산업단지로 49 T. +82-54-930-2800 F. +82-54-930-2811

미국 연락 사무소

460 Bergen Blvd. Suite 262. Palisades Park, New Jersey 07650, USA T. +1-201-944-0107

5공장, 성주일반산업단지

경상북도 성주군 성주읍 성주산업단지로2길 144

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Transparent Photoresist

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Etchant

Developer

TARC

BARC

TSV Thick Photoresist

KrF Photoresist

Bump Photoresist

I-Line Photoresist

NTS-300

AYCKP-7930

YEPR Series

YCHT-S902

본사, 1공장, 2공장, 3공장

제2연구소(시흥)

4공장, 성주일반산업단지

미국 연락 사무소

5공장, 성주일반산업단지