作为在特定波长的光下反应以及转射特定线宽(模式)的高分子材料,用于TFT- LCD回路元件工程中的曝光(Lithography)工程。
为去除Etch工程后残留的非纯物而使用的物质。
NIL (纳米压印技术)为高分子纳米结构的高通量模式化,提供价格低廉的光刻技术。
有机绝缘体泄漏电流低,履历特性少,可通过架桥制定模式,为有机溶剂赋予稳定性。此外,提供无机表面层可将作为传感器的有机物绝缘膜从感知环境保护,并提高与有机物半导体的粘合特性的材料。
金属剥离器(单型)
在作为Photo工程最后阶段的现场工程使用的物质,可选择性的去除曝光领域与未曝光领域,在贿赂形成模式的工程时,使用的物质。
光致抗蚀剂组成物的作用机制是在曝光工程中获光源的光散发生剂中形成酸,该酸引起光致抗蚀剂树脂的酸媒介反应。此时,使用负光致抗蚀剂时,会出现架桥反应,通过该反应产生曝光部分与未曝光部分的显影剂的溶解度差异,从而形成模式。
光致抗蚀剂组成物的作用机制是在曝光工程中获光源的光散发生剂中形成酸,该酸引起光致抗蚀剂树脂的酸媒介反应。此时,正光致抗蚀剂组成物将引发脱保护反应,通过该反应产生曝光部分与未曝光部分的显影剂的溶解度差异,从而形成模式。
为提高发光二极管的光效率,将蓝宝石晶片表面进行等离子体蚀刻,形成顶部具有尖形象的细微模式。
金属剥离器(批量)
去除铝后腐蚀残留物的汽提塔
有机-无机杂化、耐热、易释放、透明
透明、易释放、杨氏模量(100~1000MPa)、尺寸误差< 5%(可调收缩率 1~5% )、接触角(60°~90°)、灵活且可弯曲
紫外光硬化、喷墨式、透明性、可调粘度、浸润性能强、与晶圆和聚合物基板的强粘附力、残留层:低于50nm
透明光刻胶
卷轴
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