作为在特定波长的光下反应以及转射特定线宽(模式)的高分子材料,用于TFT- LCD回路元件工程中的曝光(Lithography)工程。
为了提高发光二极管的光效率,对蓝宝石晶圆表面进行等离子刻蚀,形成顶部尖锐的微细图案。
用于去除蚀刻工艺后残留的杂质。
用于去除蚀刻工艺后残留的杂质的材料。
用于光刻工艺最后阶段显影工序的材料,在显影过程中可选择性地去除曝光和未曝光区域,从而在电路上形成图案。
光刻胶配方的作用机理是,在曝光工序中,光引发剂在接受光照后生成酸,该酸会引发光刻胶树脂的酸催化反应。当使用负性光刻胶时,会发生交联反应,通过这种反应,曝光区和未曝光区在显影液中的溶解性不同,从而形成图案。
光刻胶配方的作用机理是,在曝光工序中,光引发剂在接受光照后生成酸,该酸会引发光刻胶树脂的酸催化反应。对于正性光刻胶,会发生去保护反应,通过这种反应,曝光区和未曝光区在显影液中的溶解性不同,从而形成图案。
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