随着半导体元件模式大小减少，在打造70nm以下模式时，利用原有的PR减少厚度时，在Etch工程中按照所要求厚度刻模式时，光致抗蚀剂具有崩溃的可能性。

为改善这一点，应使用SOC聚合物，在SOC聚合物层上面实用光致抗蚀剂，在Etch工程中按照所要求厚度刻模式，也可防治光致抗蚀剂崩溃，作为支持体使用。