CMP(化学机械平面化或抛光)将圆片贴附在以聚氨酯制造的抛光垫上的状态下，将含数百nm大小的抛光剂（有研磨作用的）的泥浆分散在抛光垫表面，诱导薄膜的化学反应，将贴有支持圆片的抛光载体与抛光垫的抛光板高速旋转，将重整的薄膜表面机械性去除，将因元件配线的绝缘膜段差弄平坦，并分离元件分离的半导体前工程可使用。