CMP(化学机械平面化或抛光)将圆片贴附在以聚氨酯制造的抛光垫上的状态下,将含数百nm大小的抛光剂(有研磨作用的)的泥浆分散在抛光垫表面,诱导薄膜的化学反应,将贴有支持圆片的抛光载体与抛光垫的抛光板高速旋转,将重整的薄膜表面机械性去除,将因元件配线的绝缘膜段差弄平坦,并分离元件分离的半导体前工程可使用。
化学机械抛光后的腐蚀控制和腐蚀去除。
用于钨/氧化层的可调选择性抛光浆和最小研磨。
高选择性抛光浆体钨去除和最小的侵蚀。
半导体二氧化硅/聚氮化物层抛光用浆料。选择性/非选择性抛光的替代品。
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