通过减少蚀刻后的倾盖来提高工艺裕度
-目标: LER的防塌与改进-用途:ArF光刻胶
-目标: LER的防塌与改进-用途:KrF光刻胶
石英管用多晶硅腐蚀剂
锗硅蚀刻剂
彩色滤光片用TMAH型显影剂
TMAH型显影剂
-环保安全; 无PFOS/PFOA问题-低折射率-pH值可控
-目标:厚度0.08um-用途:ArF BARC
-目标:厚度0.06um-用途:填缝剂BARC
-目标:厚度0.04um-用途:ArF BARC
-目标:厚度0.024um-用途:TSV包装BARC-球栅阵列碰撞过程
-目标:厚度6.0um (Res. 6.0um, 接触孔)-用途:i线正TSV器件
-目标:厚度0.54um (Res. 180nm, 250nm)-用途:注入层和蚀刻层
-目标:厚度0.30um (Res. 180nm)-用途:注入层
-目标:厚度0.54um (Res. 180nm, 250nm)-用途:注入层和蚀刻层-
-目标 : 厚度50um (Res. 75um, 接触孔)-用途 : 负凸点光刻胶
-目标:厚度6.0um(Res. 5um, L/S 1:1)-用途:正凸点光刻胶
-目标:厚度3.5um (Res. 1.5um & 3.0um, 1:1)-用途:注入层和金属层
-目标:厚度1.7um (Res. 500nm, 1:1)-用途:注入层和蚀刻层/OLED器件
-目标:厚度1.3um (Res. 500nm, 1:1)-用途:注入层和蚀刻层/OLED器件
-目标:厚度1.1um (Res. 500nm, 1:1)-用途:注入层和蚀刻层/OLED器件
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