-Hybrid Spin & Wet Station for Wafer Cleaning-Monitoring System of H3PO4 concentration
用于调节粘度或去除残留物的溶剂。
本公司针对13.5nm波长,制造胶片厚度为10nm至100nm的工程适用EUV光致抗蚀剂产品。 EUV光致抗蚀剂产品系列中,正型光致抗蚀剂与负型光致抗蚀剂均可提供,并具备高灵敏度(High Sensitivity)及低线边粗糙度(Low LER, Line Edge Roughness)优化解决方案。 若您正在为开发项目寻找EUV光致抗蚀剂解决方案,可联系本公司,我们将提供有关产品系列的更加具体的数据。
本公司针对193nm波长,制造胶片厚度为0.2µm至6.0µm的工程适用ArF光致抗蚀剂产品。 ArF光致抗蚀剂产品系列中,正型光致抗蚀剂与负型光致抗蚀剂均可提供,并具备适用于干式(Dry)及浸没式(Immersion)工艺的解决方案。 若您正在为开发项目寻找ArF光致抗蚀剂解决方案,可联系本公司,我们将提供有关产品系列的更加具体的数据。
为去除Etch工程后残留的非纯物而使用的物质。
NIL (纳米压印技术)为高分子纳米结构的高通量模式化,提供价格低廉的光刻技术。NIL (纳米压印技术)为高分子纳米结构的高通量模式化,提供价格低廉的光刻技术。
有机绝缘体泄漏电流低,履历特性少,可通过架桥制定模式,为有机溶剂赋予稳定性。此外,提供无机表面层可将作为传感器的有机物绝缘膜从感知环境保护,并提高与有机物半导体的粘合特性的材料。
Wafering用硅晶体制造晶片的过程,该工序一般由同一晶体同时切割多个晶片的多线切割机(multi-wire saw)来执行。最终,该晶片研磨成想要的平坦度及厚度。
随着半导体元件模式大小减少,在打造70nm以下模式时,利用原有的PR减少厚度时,在Etch工程中按照所要求厚度刻模式时,光致抗蚀剂具有崩溃的可能性。为改善这一点,应使用SOC聚合物,在SOC聚合物层上面实用光致抗蚀剂,在Etch工程中按照所要求厚度刻模式,也可防治光致抗蚀剂崩溃,作为支持体使用。
作为光刻工艺中使用的材料,该材料用于显影(Developer)工艺后,以超纯水(D.I. water)清洗时防止图形损伤。
CMP(化学机械平面化或抛光)将圆片贴附在以聚氨酯制造的抛光垫上的状态下,将含数百nm大小的抛光剂(有研磨作用的)的泥浆分散在抛光垫表面,诱导薄膜的化学反应,将贴有支持圆片的抛光载体与抛光垫的抛光板高速旋转,将重整的薄膜表面机械性去除,将因元件配线的绝缘膜段差弄平坦,并分离元件分离的半导体前工程可使用。
为加速氧化而使用的物质。
利用化学反应去除印刷回路基板上存在的不需要的金属而使用的物质。
在Photo工程最后阶段,即现场工程中使用的物质,选择性的去除曝光的领域与未曝光的领域,在回路形成模式的工程中使用的物质。
(顶部抗反射涂料) 随着半导体元件模型大小减少,在进行曝光工程时,反射率最低应维持1%以内,才能形成均等的模型,利用光刻技术形成模型中曝光时,在膜顶层处理反射防止膜,用于光致抗蚀剂內改善反射光及散射现象。
(底部抗反射涂料)随着半导体元件模型大小减少,在进行曝光工程时,反射率最低应维持1%以内,才能形成均等的模型,利用光刻技术形成模型中曝光时,根据底部膜层防止光反射以及去除定在波用的吸光剂与包含其在内的有机反射防止膜。
开发包括最新技术在内的多种封装程序用光致抗蚀剂,并将其商用化。封装程序用光致抗蚀剂可用于过包括圆片等级RDL、TSV在内的多种生产技术。开发包括最新技术在内的多种封装程序用光致抗蚀剂,并将其商用化。封装程序用光致抗蚀剂可用于过包括圆片等级RDL、TSV在内的多种生产技术。
本公司针对248nm波长,制造胶片厚度为0.30um至12.0um的工程适用KrF光致抗蚀剂产品。KrF光致抗蚀剂产品系列中,正型光致抗蚀剂与负型光致抗蚀剂均可生产。若您为开发项目,正寻找KrF光致抗蚀剂解决方案,可联系本公司,我们将提供有关产品系列的更加具体的数据。
提供为满足最近发展的圆片级封装、MEMS及3D影印法等应用产品的窄齿距与各种地势而设计的正调及负调光致抗蚀剂。可与包括铜、纯锡及镍在内的各种金属的镀金化学物质互换
本公司针对365nm波长,制造胶片厚度为0.1um至6.0um的工程适用i-线光致抗蚀剂产品。i-线光致抗蚀剂产品系列中,正型光致抗蚀剂与负型光致抗蚀剂均可生产。若您为开发项目,正寻找i-线光致抗蚀剂解决方案,可联系本公司,我们将提供有关产品系列的更加具体的数据。
-Slurry for polishing semiconductor SiO2/Poly/Nitride layer.-Alternative of selective/non-selective polishing.
Positive PR for 248nm process
Rinsing Solution for EUV photoresist
High selective polishing slurry for bulk tungsten remove and minimum erosion.
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