반도체 소자의 패턴 크기가 감소함에 따라 70nm 이하의 패턴을 구현하면서 기존의 Photoresist를 이용하여 두께를 감소시킬 경우, Etch 공정에서 Photoresist가 붕괴할 가능성이 존재합니다.

이를 개선하기 위하여 SOC polymer를 활용하며, SOC polymer 층 위에 Photoresist를 사용하여 Etch 공정 시 요구하는 깊이 만큼 패턴을 새기더라도 Photoresist가 붕괴하지 않도록 지지체로 활용 가능합니다.