Spin On Carbon Hardmask

반도체 소자의 패턴 크기가 감소함에 따라 70nm 이하의 패턴을 구현하면서 기존의 Photoresist를 이용하여 두께를 감소시킬 경우, Etch 공정에서 Photoresist가 붕괴할 가능성이 존재합니다.
이를 개선하기 위하여 SOC polymer를 활용하며, SOC polymer 층 위에 Photoresist를 사용하여 Etch 공정 시 요구하는 깊이 만큼 패턴을 새기더라도 Photoresist가 붕괴하지 않도록 지지체로 활용 가능합니다.