Photo 공정 시 활용되는 물질로써, Developer 공정 후 D.I. water를 활용한 세척 시 발생 되는 패턴의 손상을 방지하기 위해 사용하는 물질입니다.
-Improving the process margin by reducing the cap-leaning after etching
Positive PR for 365nm process
-Target : Prevent collapse & Improvement of LER-Purpose of use : ArF photoresist
-Target : Prevent collapse & Improvement of LER-Purpose of use : KrF photoresist
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