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LCD

특정한 파장의 빛에 반응 및 특정한 선폭(Pattern)을 전사할 수 있게 하는 고분자 재료로 TFT- LCD 회로 소자 공정 중 노광(Lithography)공정에 사용되고 있습니다.
LED

특정한 파장의 빛에 반응 및 특정한 선폭(Pattern)을 전사할 수 있게 하는 고분자 재료로 TFT- LCD 회로 소자 공정 중 노광(Lithography)공정에 사용되고 있습니다.특정한 파장의 빛에 반응 및 특정한 선폭(Pattern)을 전사할 수 있게 하는 고분자 재료로 TFT- LCD 회로 소자 공정 중 노광(Lithography)공정에 사용되고 있습니다.
Stripper

Etch 공정 후 존재하는 불순물들을 제거하기 위하여 활용하는 물질입니다.
UV Imprint Resin

(Nanoimprint Lithography) 고분자 나노 구조의 high-throughput 패턴화를 위한 정밀한 lithography 기술을 제공합니다.
Transparent Photoresist

유기 절연체의 경우 누설전류가 낮고, 이력특성이 적으며, 가교를 통하여 패터닝이 가능하고, 유기 용제에 안정성을 부여할 수 있습니다. 또한, 무기 계면 층의 경우 센서로 사용되는 유기물 절연막을 센싱 환경으로부터 보호하며, 유기물 반도체와의 접합특성을 향상 시키는 재료입니다.
YGR-8100AL / YGR-8200AL

Metal stripper (Single type)
YMR-2100

Etch 공정 후 존재하는 불순물들을 제거하기 위하여 활용하는 물질입니다.
DV-2379LC

Photo 공정의 마지막 단계인 현상 공정에서 활용되는 물질로써, 노광 된 영역과 노광 되지 않은 영역을 선택적으로 제거하여 회로에 패턴을 형성하는 공정 시 사용하는 물질입니다.
LCR-Y110N / LCR-Y200A / CL-Y300A

Photoresist 조성물의 작용 기전은, 노광 공정에서 광원을 받은 광산 발생제에서 산이 형성되고 이 산이 Photoresist 수지의 산 촉매 반응을 일으킵니다. 이때 positive Photoresist 조성물은 탈 보호 반응이 일어나며, 이런 반응을 통해서 노광 된 부분과 노광이 안 된 부분의 현상액에 대한 용해도 차이를 갖게 하여 패턴을 형성하게 됩니다.
SCR-100

Photoresist 조성물의 작용 기전은, 노광 공정에서 광원을 받은 광산 발생제에서 산이 형성되고 이 산이 Photoresist 수지의 산 촉매 반응을 일으킵니다. 이때 positive Photoresist 조성물은 탈 보호 반응이 일어나며, 이런 반응을 통해서 노광 된 부분과 노광이 안 된 부분의 현상액에 대한 용해도 차이를 갖게 하여 패턴을 형성하게 됩니다.
PSS Wafer Foundry Service

발광 다이오드의 광 효율을 향상하기 위해 sapphire wafer 표면을 Plasma 식각하여 상부가 뾰족한 형상을 가지는 미세 패턴을 형성시킵니다.
YPS-3000

Etch 공정 후 존재하는 불순물들을 제거하기 위하여 활용하는 물질입니다.
YPS-1000

Etch 공정 후 존재하는 불순물들을 제거하기 위하여 활용하는 물질입니다.
DV-2379

Photo 공정의 마지막 단계인 현상 공정에서 활용되는 물질로써, 노광 된 영역과 노광 되지 않은 영역을 선택적으로 제거하여 회로에 패턴을 형성하는 공정 시 사용하는 물질입니다.
YNP-4000L

포토레지스트 조성물의 작용 기전은, 노광 공정에서 광원을 받은 광산 발생제에서 산이 형성되고 이 산이 포토레지스트 수지의 산 촉매 반응을 야기합니다. 이때 네거티브 포토레지스트를 이용할 경우에는 가교 반응이 일어나게 되며, 이런 반응을 통해서 노광된 부분과 노광이 안 된 부분의 현상액에 대한 용해도 차이를 갖게 하여 패턴을 형성하게 됩니다.

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